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【图】10nm级军备竞赛:2017年智能手机旗舰处理器展望

导读:欢迎来到互联网专栏,这里为您提供了【图】10nm级军备竞赛:2017年智能手机旗舰处理器展望的文章介绍,还有两天时间,魅族新机魅蓝X即将发布,根据之前的爆料信息,除了亮眼的外观设计与Flyme 6系统,魅蓝X还将首发搭载联发科Helio P20处理器,或许是这款新机最大的亮点。Helio P20是联发...

还有两天时间,魅族新机魅蓝X即将发布,根据之前的爆料信息,除了亮眼的外观设计与Flyme 6系统,魅蓝X还将首发搭载联发科Helio P20处理器,或许是这款新机最大的亮点。

Helio P20是联发科首颗采用16nm FinFET制程工艺的处理器,同时是全球首款支持LPDDR4X规格内存的移动处理器,内存工作电压由1.1V大幅降低至0.6V;AP部分仍然是8个Cortex-A53核心,但主频提升到2.3GHz;GPU部分为Mali-T880 MP2,相比P10主频由700MHz提升至900MHz;遗憾的是,存储仍停留在eMMC 5.1标准。

随着联发科Helio P20处理器登场,2016年智能手机处理器市场已成定局,各个厂商早已摩拳擦掌,开始进入10nm级军备竞赛,2017年将或许是智能手机处理器竞争最激烈的一年。

今天,IT之家就和大家一起展望一下2017年智能手机的旗舰级处理器,畅想未来一年的旗舰机在全新处理器的加持下将会有怎样的进步。

▲近日,产业链人士以手头的相关资料制作了高通、联发科、华为三家明年新旗舰处理器的参数对比图表。

1、高通骁龙835

高通于11月17日公布了下一代旗舰级骁龙处理器——骁龙835,将采用三星10nm FinFET制程工艺,支持高通新一代快充技术Quick Charge 4(即QC 4)。

那么,10nm到底有多小呢?它是几十个水分子的尺寸,也可以说是一根头发丝直径的千分之一。10nm制程芯片面积远远小于14nm制程芯片,这意味着厂商有更多的空间来为智能手机设计更大的电池或更纤薄的机身。

与其上一代14nm FinFET工艺相比,三星10nm工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。工艺的改善加上更先进的芯片设计,能够显著延长手机续航时间。

骁龙835可能将回归big.LITTLE八核设计,采用Kyro 200架构,频率可达3.0GHz以上;GPU部分为Adreno 540;LPDDR4X内存以及UFS 2.1闪存标准都将是必不可少的;骁龙835也将是全球首款搭载X16千兆基带的移动SoC,支持Cat.16,下行速率可达1Gbps。

与QC 3.0相比,高通新一代快充技术Quick Charge 4充电速度快了20%,充电效率提高30%,而充电温度下降5°C。高通方面将QC 4称为“充电五分钟,使用五小时”,可在15分钟之内将一部智能手机从零电量充到50%电量。

QC 4与前几代相比在许多方面有突破,它兼容USB Type-C和USB Power Delivery(USB PD),采用最佳电压智能协商(INOV)算法第3版,支持Dual Charge与Battery Saver技术。

日前,业内人士@Kevin王的日记本在微博中表示骁龙835在海外将首发于三星Galaxy S8,国内将由小米6首发,这两款旗舰机型最早明年三月开卖,LG与HTC等厂商也将相继发布搭载骁龙835的旗舰机型。相信骁龙835将是明年安卓旗舰机型的标配处理器。

2、联发科Helio X30

今年9月份,联发科发布了全球首款采用10nm制程工艺的移动处理器Helio X30,这是联发科第二代三丛集架构十核处理器。

Helio X30采用的是来自台积电的10nm工艺,AP部分包括2颗主频最高可达2.8GHz的Cortex-A73核心,4颗主频为2.3GHz的Cortex-A53核心,以及4颗主频为2.0GHz的Cortex-A35核心。其中,A73是大核心主攻性能,A53和A35为主打功耗的小核心,A35在能耗比上拥有更好的表现。相比较Helio X20,X30有53%的功耗降低和43%的性能提升。

在GPU方面,联发科破天荒地抛弃了一直采用的ARM Mali系列,Helio X30将整合四核心Imagination PowerVR 7XTP,PowerVR系列GPU也一直是iPhone搭载的A系列处理器的标配,在性能上将会有不俗的表现。

Helio X30将最高支持8GB的LPDDR4X运存,支持UFS 2.1闪存标准,搭载双ISP最高支持2800万像素摄像头,基带方面也将支持三载波聚合以及Cat.10。

凭借工艺制程进步与GPU方面的升级,联发科Helio X30的跑分数据已超过了骁龙821的平均水准,其性能值得期待,但是希望联发科能够进一步优化三丛集架构,不会再出现“一核有难,七核点赞,两核围观”的尴尬表现。

联发科Helio X30定位于2000-3000元价位中高端智能机,有望于明年一季度正式量产,很可能由魅族PRO 7首发,后期也有可能由红米Note系列、360手机N系列等好队友将Helio X30带到千元价位。

3、三星Exynos 8895/9xxx

三星Exynos 8895是Exynos 8890的升级版,将采用三星自家的10nm制程工艺。

此前微博用户@i冰宇宙爆料称,三星Exynos 8895处理器默认频率高达3.0GHz,双核睿频3.4GHz,通过开发者的定制内核超频可到3.8GHz,GPU确定采用Mali-G71。

之后该用户又带来了Exynos 8895的其他信息,早期工程版单线程跑分2301、多线程7019,CPU经过架构优化,满载功耗低于5w,另外考虑到Galaxy S8将可能采用双摄像头,ISP预计提升性能70%~80%。

受限于基带方面技术与专利等问题,今年三星旗舰Galaxy S7搭载了高通骁龙820,不过也有一部分地区销售的S7采用的是自家的Exynos 8890处理器,因此不出意外的话,三星下一代旗舰Galaxy S8也会延续同样的策略,部分采用Exynos 8895处理器。

也有一种可能Exynos 8895只是三星例行的增强版年度处理器而已,真正的新旗舰芯片会是Exynos 9xxx系列,CPU与GPU性能都将获得提升。

三星有可能将支持全网通的Shannon调制解调器集成于Exynos处理器,与高通形成直接竞争,这样不依赖高通也能够实现所有的Galaxy旗舰机型标配Exynos处理器。不过,Shannon调制解调器在2017年第三季度之后才能出货,Galaxy S8还是无法避开高通骁龙处理器,所以我们或许会在Galaxy Note 8上见到支持全网通的Exynos处理器。

4、苹果A11 Fusion

今年苹果iPhone7采用双大核+双小核设计的四核A10 Fusion处理器,在处理器性能方面又实现了大幅度的提升,我们可以看到苹果在加快自家芯片的发展步伐,同时更加期待对于2017年的iPhone所搭载的A11 Fusion处理器。

台积电已经确认将在2016年底或2017年年初实现10nm工艺制程的量产,并将为整个2017年的芯片提供生产技术支持,所以我们基本可以确定苹果A11 Fusion处理器将会采用10nm工艺制程。

得益于10nm工艺,在既定的面积的芯片中,苹果能够在A11 Fusion芯片中塞进比A10更多的晶体管,CPU及GPU性能将会有跨越式的进步,功耗比将会进一步提升。

苹果更擅长的是底层架构的改进,大家肯定对双核的A9处理器印象深刻,双核就能比拼四核甚至八核的处理器性能,所以A11 Fusion必然会在架构方面改进,将有望再一次实现性能的成倍增长。

至于A11 Fusion的性能进步能达到什么程度,现在下结论还太早,让我们对明年的新一代iPhone拭目以待吧。

5、华为海思麒麟970

华为于本月初发布了首次搭载麒麟960处理器的华为Mate 9系列,这是首款采用A73+G71架构的处理器,估计明年的华为P10以及荣耀9系列手机将搭载该处理器。

华为刚刚发布了麒麟960,那么麒麟970恐怕将会是最神秘的处理器,根据一年的更新周期,该处理器可能在明年年底前发布。

根据业内人士收集的信息,麒麟970也将采用台积电10nm制程工艺,与麒麟960同样采用4*Cortex-A53+4*Cortex-A73的八核心设计,A73核心的主频可能会在2.8GHz-3.0GHz之间;GPU部分可能会继续沿用G71架构,核心频率以及核心数可能会有一定的升级;基带方面将会支持到Cat.12。

麒麟970首发机型可能仍是华为自家商务旗舰Mate系列,有可能命名为Mate 10或者Mate X。

在明年的10nm级智能手机处理器军备竞赛中,各个厂商都将会祭出独门大招,秀出看家的调校秘籍,以期达到更强的性能,实现优秀的功耗比,给用户带来更好的体验,至于鹿死谁手,IT之家将与您共同关注。

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